1. 姓名：王海玲
2. 性别：女
3. 学历：博士研究生
4. 职称：工程师
5. 联系方式 ：wanghelen@hust.edu.cn
6. 办公地点 ：wanghelen@hust.edu.cn
7. 工作岗位：实验技术岗---公共技术服务
8. 工作职责：负责半导体光刻工艺仪器设备的管理、维修维护、技术改进、功能开发、应用培训等
9. 教育背景：2006-2010 山东建筑大学 材料科学与工程学院 本科
2010-2016 中国科学院大学 材料物理与化学 硕博连读
10. 工作经历：2016-2022 威廉官网中国 物理学院 博士后
2022-2024 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 主任工程师
2025-至今 威廉官网中国 williamhill中文国家集成电路产教融合创新平台 工程师
11. 个人成果
参与项目：
[1] 工信部集成电路产业重点项目：XXX存储器制造XXX超高分辨率XXX
[2] 湖北省科技重大专项：2020AE017三维相变存储器核心技术及产品开发
[3] 湖北省科技重大专项：2021AEA002新型3D NAND存储架构及三维DRAM集成技术研究
[4] 国家自然科学基金面上项目：纳米多孔Au-Cu、Au-Pd电催化选择性的动力学调控机理
[5] 国家自然科学基金青年项目：基于两相界面势垒控制的高导电性贵金属/LaNiO3复合薄膜的制备与机理研究
[6] 国家自然科学基金面上项目：微波电磁场中石墨烯－镍酸镧复合薄膜的低温结晶化及其导电性的研究
[7] 国家自然科学基金面上项目：铁电陶瓷薄膜在微波电磁场中的结晶行为与加热机制
[8] 辽宁省自然科学基金面上项目：微波电磁场中Au-LaNiO3复合导电薄膜的低温制备
近五年论文成果：
[1] Q. Hu, H. L. Wang,* L. H. Qian, L. C. Zeng, Q. Wang, X. W. Liu, Effects of Cu additions on microstructure and mechanical properties of as-cast CrFeCoNiCux high-entropy alloy, Trans. Nonferrous Met. Soc. China, 33, 2023, 1803-1813.
[2] Q. Wang, Q. Hu, H. L. Wang,* L. C. Zeng, Investigations on the microstructures and tribological behaviors of as-cast CrFeCoNiCux high entropy alloys, Intermetallics, 157, 2023, 107886.
[3] Q, Wang,* H. L. Wang, T. F. Gao, L. H. Qian, L. C. Zeng, Q. Chen, X. W. Liu, Microstructure evolution and mechanical properties of an annealed dual-phase CrFeCoNiAl0.7 high entropy alloy, Intermetallics, 149, 2022, 107657.
[4] H. L. Wang, X. J. Zhou, T. S. Yu, X. L. Lu, L. H. Qian,* P. Liu, P. X. Lei, Surface restructuring in AgCu single-atom alloy catalyst and self-enhanced selectivity toward CO2 reduction, Electrochimica Acta, 426, 2022, 140774.
[5] H. L. Wang, Q. Wang,* H. S. Ding, R. R. Chen, L. C. Zeng, High-temperature tensile behaviors and microstructural evolutions of a directionally solidified Ti-45Al-5Nb-2Mn alloy, Materials Science & Engineering A, 825, 2021,141904.
[6] H. L. Wang, Q. Wang, L. C. Zeng, H. L. Zhang,* H. S. Ding, Microstructure, mechanical and tribological performances of a directionally solidified γ–TiAl alloy, Materials Characterization, 179, 2021, 111393.
专利成果：
[1] 一种金-镍酸镧复合导电薄膜材料及其制备方法，王占杰，王海玲，中国，201210088760.3， 已授权
[2] 一种自优化合金催化剂及其制备方法和应用，钱立华，王海玲，中国，202010699938.2，已授权
[3] 一种半导体结构及其制备方法，王海玲，周凌珺，杨红心，刘峻，中国，申请号202310615743.9
12. 研究方向：三维新型存储器材料与工艺
