1. 姓名：谭波

2. 性别：男

3. 学历：硕士

4. 职称：工程师

5. 联系方式：2023310080@hust.edu.cn

6. 办公地点：东十七楼E1区330

7. 工作岗位：实验技术岗

8. 工作职责：负责薄膜沉积相关的设备管理、设备共享以及实验教学相关的工作

9. 教育背景：中国地质大学（武汉）材料科学与工程 学士

 威廉官网中国 光学工程 硕士

10. 工作经历：2019年7月-2023年4月，武汉高德红外股份有限公司，芯片研发工程师

11. 个人成果

承担、参与的教改项目

1、 理论实践双轮驱动：集成电路专业研究生材料器件基础的强化培养方案，校级，2024

2、 面向一生一“芯”计划的集成电路工艺实训体系建设，省级，2024

科研成果

[1] Tan B., Hu, J. H., Zhang J.*etal. AlN gradient interlayer design for the growth of high-quality AlN epitaxial film on sputtered AlN/sapphire substrate. CrystEngComm, 20, 6557-6564 (2018).

[2] Long H. L., Dai J. N., Zhang. Y., Wang S., Tan B., Zhang S., Xu. L. L., Shan M. C., FengZ. C., Kuo H. C., Chen C. Q.*, High quality 10.6 μm AIN grown on pyramidal patterned sapphire substrate by MOCVD. Appl. Phys. Lett. 114, 042101 (2019).

[3] Bo Tan, Sufen Cheng, Bin Liu, et al. Effective suppression of surface leakage currents in T2SL photodetectors with deep and vertical mesa sidewalls via TMA and H2 plasma combined pretreatment, Infrared Physics & Technology, 116, 103724 (2021).

12. 研究方向：原子层沉积、磁控溅射、化学气相沉积等薄膜沉积技术