1. 姓名 刘云洲

2. 性别 男

3. 学历 硕士

4. 职称 工程师

5. 联系方式 2025612285@hust.edu.cn

6. 办公地点 东17楼E1-329

7. 工作岗位 半导体工艺工程师

8. 工作职责  

1、协助平台工程师完成半导体工艺开发，包括光刻、薄膜沉积等；

2、设备故障处理、定期维护与保养等日常运行；

3、协助平台工程师完成工艺实训课程开发与课程开展；

4、完成平台领导交办的日常工作。

9. 教育背景

2012.09-2016.06 武汉工程大学 材料物理 学士

2021.09-2024.06 广东工业大学 电子信息 工程硕士 （非全日制）

10.工作经历

2017.03-2025.08 广东省科学院半导体研究所 先进材料平台助理工程师；

主要负责平台MOCVD设备操作维护和场务工作。

11.个人成果

1. Y. Liu, H. Wu, K. Zhang, Q. Wang, J. Peng, F. Wu, C. He, H. Dong, The electronic and mechanical properties of two dimensional multilayered GaN: A first-principles study. Materials Today Communications, 2023, 37: 107425.

2. Y. Liu, K. Zhang, H. Wu, Q. Wang, F. Wu, C. He, H. Dong, "First-principles calculation of the effect of V content on the properties of NbMoTaWVx refractory high-entropy alloys." Materials Today Communications, 2024, 40: 109684.

3. Wu, H., He, C., Ge, J., Zhang, K., Liu, Y., et al. “Suppressing Dislocations and Excess Compressive Stress in High-Temperature-Annealed AlN Films through Macrostep-Induced Dislocation Inclination.” Crystal Growth & Design 25 (2025) 2347-2354.

4. Zhang, L., Wu, H., He, C., Zhang, K., Liu, Y., et al. "Enhancing GaN/AlxGa1− xN-Based Heterojunction Phototransistors: The Role of Graded Base Structures in Performance Improvement." Micromachines 15.6 (2024): 778.

5. C. He, H. Wu, K. Zhang, Y. Liu, et al. “Efficient Deep Ultraviolet Emission from Self-Organized AlGaN Quantum Wire Array Grown On Ultrathin Step-bunched AlN Templates.” Crystal Growth & Design 24 (2023) 1551-1559.

6. Q. Wang, K. Zhang, D. Lin, X. Liang, Y. Liu, et al. “Introducing an n-type electron deceleration layer to enhance the luminous efficiency of AlGaN-based DUV-LEDs.” Frontiers in Physics 11 (2023): 1118946.